侵權投訴

嵌入式系統中FFS存儲結構和框架的設計與實現

電子設計 ? 2020-10-10 10:37 ? 次閱讀

作者:李建勛,樊曉光,禚真福

在嵌入式系統中,由于閃存成本低、容量大、非易失、訪問速度高和機械故障少的優勢已逐漸成為最流行的存儲大量數據的存儲器。然而,閃存常見的用法是簡單的流模式,它沒有提供文件的存儲和管理功能。解決問題的方法是建立一個管理存儲空間和數據信息的文件系統。目前,商用閃存文件系統(FFS)通常是與DOS兼容,這將產生一個復雜的文件目錄,這種系統不實用且浪費資源。

由于嵌入式系統軟硬件的限制,在應用于通用計算機系統的標準文件系統(例如用于Win32/DOS的FAT和用于Linux的EXT)時,必須進行相應修改以適應嵌入式環境。在通用的文件系統趨向于簡單化和專業化的進程中,研究主要集中在以下幾個方面:在一個小的高速存儲器上實現嵌入式系統處理速度和有限資源的平衡;實現特定性能,如用于滿足不同的嵌入式應用環境的數據加密和運行的可靠性的功能;提高嵌入式系統的實時性能。事實上,不少嵌入式系統是根據客戶的特殊要求定做的。針對這種情況,開發了具有高可靠性的簡化嵌入式閃存文件系統,與復雜的商用文件系統相比,這個嵌入式計算機數值控制系統更實用。

1 FFS存儲結構和框架

嵌入式系統中閃存有以下特點:(1)閃存以扇區為單位執行,如果修改扇區內1 B的數據,則整個扇區的數據都將被重寫;(2)通常任一扇區可重寫大約0.1~1萬次;(3)損壞扇區難免。在計算機數控系統中應用了閃存特性和局部處理程序訪問特征,在邏輯上非結構化的數據流模式被應用到FFS,在物理上存儲空間以扇區為基礎分成不同的塊。閃存文件系統(FFS)不僅提供了根據文件名查找和訪問文件,使得有限的存儲空間得到合理和充分利用,而且還提供基于存儲內容的擦寫策略損壞扇區的適應性管理,因此,在某種程度上FFS的可靠性有所提高。

為了使閃存文件系統在不同的平臺上更易于進行維護、升級和移植,基于Madnick分層模型設計了一個文件系統分層結構。圖1所示的文件系統包括2個主要部分:文件管理單元和存儲空間管理單元。較低層為上層部分提供服務。每一層僅涉及接口,而不是更低或上層內部結構。

嵌入式系統中FFS存儲結構和框架的設計與實現

2 存儲空間管理

作為嵌入式系統的一部分,閃存存儲管理的主要功能包括提高使用效率、加快執行速度和根據其物理特性使用特殊算法管理閃存內存單元的使用頻率。存儲空間管理單元在邏輯上由3個層次組成:文件物理層、存儲設備分配層和閃存驅動層。閃存驅動層為上層提供最基本的驅動程序,如下:

2.1 存儲扇區管理

本文開發的FFS存儲結構類似于MS-DOS的FAT,是FAT系統的修改。圖2顯示了一系列模式的基本存儲結構。

系統記錄區(SRA)存儲介質信息和最重要的文件系統信息,如閃存類型、容量、扇區數和扇區利用現狀。這個扇區的利用狀況包括文件數、未使用的扇區數、損壞扇區數、第一個和最后一個未使用的扇區編號。圖3顯示了在SRA上的內存分配。文件信息區域(FIA)用于存儲文件的詳細信息,如文件名、文件類型、文件大小、文件屬性和閃存鏈表項。程序數據區(PDA)用于存儲程序數據。在圖2陰影部分是每個區域損壞的扇區。如果損壞的扇區數達到給定界限值,警報將自動啟動。圖3為SRA上的內存分配情況,不同部分存儲特定的記錄信息:1為閃存內存類型;2為閃存內存容量;3為扇區數;4為文件數;5為未使用扇區數;6為損壞的扇區數;7為最后一次寫入FIA的扇區組數;8為第一個未使用扇區號;9為最后未使用扇區號;10為系統記錄控制的關鍵字;11為下一個要寫入的扇區號。

不同的系統有不同的存儲空間管理模式,最簡單的可能是一個命令模式,但它并不適用于某些特殊應用。例如,在計算機數控系統中使用命令模式,用戶不方便編輯、修改或者刪除由各種機器處理指令組成的G代碼程序。另一個常用的方式是靜態存儲模式,這意味著每一個文件分配固定的扇區數。在這種情況下,如果文件大小超過了給定的空間,雖然仍有未使用的扇區,但寫操作卻不能成功完成。同樣,小文件顯然將導致存儲空間浪費。此外,由于過度頻繁地訪問同一個文件,與其他的扇區相比這樣的扇區更易于損壞。因此,靜態存儲模式不是一個很好的選擇。

為了克服這些問題,提出了一個動態存儲空間管理模式,采用平均擦除和寫入策略。先入先出(FIFO)的引入,保證了閃存存儲扇區的平均使用。當系統第一次加電,未使用的扇區都初始化為一個雙鏈表。此后,這些扇區應該從鏈表頭節點轉到尾節點。這樣,在訪問每個扇區的頻率將趨于平等,每個扇區將不會過度頻繁讀取/寫入。假設鏈表有N個節點,每個扇區訪問的概率只有1/N,因此,閃存的使用壽命可以明顯延長。

相對而言,基于MS-DOS的FAT系統只為數據區提供損害管理,卻忽視了文件系統結構區域。相對地,SRA作為FFS結構區域,由于存儲了系統關鍵信息而成為最重要的區域。而且,由于頻繁訪問, SRA往往更易損壞。因此,這一區域應當運用一種安全策略。根據在SRA、FIA和PDA存放的數據的重要性不同,不同存儲區域應當分配不同的可靠性要求。因此,可以充分利用閃存存儲能力,寫校驗時間將會減少,從而寫速度將有所改善。

2.2 SRA的平均擦除和寫入管理

為了實現對System record area(SRA)平均擦除和寫管理,避免由系統記錄扇區物理損傷而導致整體系統的故障,SRA被平均劃分成3個小組。3組依次進行寫操作,可以為系統記錄存儲安全提供一個冗余策略,從而提高系統的可靠性,延長系統壽命。這對于每次在系統通電之后獲取SRA代碼值是必要的。由系統記錄關鍵字(SysKeyword)控制的值,標記著系統關閉前最后一次寫操作的系統扇區的執行記錄,它顯示為:

在系統初始化時,SRA中每組的相應系統變量關鍵字(1~3)初始化為0。在后續操作中,各組關鍵字(SysKeyword)的真實值應該更新,在系統每次啟動時分別從SRA讀出。因此,SysCodeValue的值可根據式(1)得到。執行最后一次寫操作的組號可以通過調用函數GetLastGroup-Num()獲得。一旦SRA的記錄數據被更改,系統關鍵字應該相應更新。然后包括SysKeyword的記錄數據,應寫入到根據以下方法獲得的相應扇區。

下一次將被寫入的該系統記錄扇區的組號與轉移的參量LastGroupNum可以通過調用函數GetNextGroupNum(Uchar LastGroupNum)共同獲得。SysCodeValue的值將更新如下:

SysCodeValue=SysCodeValue∧2NextGroupNum-1 (2)

通過組合式(1)和式(2)可以得到每組SysKeyword的值,因此,可以迅速查出最新和最舊的記錄。該方法是一種快速計算和跟蹤策略,這樣,根據得到的組號和SysKeyword的值,寫操作可以順利執行。

該系統記錄扇區的詳細參數值如表1所示。

3 文件管理

文件管理層(FML)封裝了整個文件系統,并且為操作系統和上層的應用程序提供統一標準的程序接口(APIs)。用戶操作請求將被APIs移交到文件的邏輯層(FLL),然后將請求發送到文件的物理層(FPL)。

3.1 文件編輯

文件系統應提供友好的用戶界面,用戶可以操作文件,無需考慮文件的結構或物理位置。圖4顯示編輯一個存儲在閃存的文件流程圖。首先要遍歷文件信息鏈表,根據文件名來查找存儲此文件信息的節點。因此,該文件存儲空間的第一個扇區可獲取,后續扇區依次獲取。然后,每個扇區將逐個讀取,數據將被寫入緩沖區。通過建立一個雙鏈表顯示數據,然后通過人機界面進行編輯操作。最后,將修改后的數據寫回到閃存,文件信息和系統記錄將自動更新。

3.2 文件存儲和文件刪除

連續的文件存儲結構模式(如圖5中的文件N005和N011)在存儲前,文件通常被劃分成為大小相等的多個數據塊(除最后一個塊的大小可能小于其他塊)。塊的數量是由文件和塊大小決定,而塊的大小與存儲介質有關。在本文中,閃存的存儲單元(即扇區)為256 B,因此,該塊的大小建議不超過256 B。在這里,把文件劃分為252 B大小的塊,每個數據塊占用一個扇區的存儲空間。因此,塊的數量(即被占用的扇區數)可以計算出,這是最低整數不少于文件字節大小除以塊字節大小所得的商數。然后未使用的扇區鏈表的頭節點作為這個文件存儲空間的第一個扇區。緊隨第一個扇區,很多未使用的扇區被取出后,整個文件的存儲空間可用。因此,該文件成功保存。

閃存的地址空間不允許隨意被刪除,刪除一個文件時必須把扇區作為一個刪除單元。因此,刪除一個文件,要使用與編輯操作相同的手段獲得該文件節點的存儲信息,這樣文件的信息可以使用。有了文件信息,文件的存儲空間的第一個扇區可以得到,其他的也可以依次得到。然后未使用的扇區鏈表上的扇區可以通過調用函數FreeSect(Ulong SectNum)釋放第一個扇區。最后,根據雙鏈表的原則,這個節點將被刪除。

圖5為一個文件創建和刪除過程的示例。要創建一個文件(文件名為N005,大小為912 B,第一個扇區是5號),未使用扇區鏈表的頭節點作為這個文件的存儲空間的第一個扇區(扇區號為5)。同時,在文件信息鏈表的尾節點寫文件信息。這個文件的存儲扇區數可以計算出來,結果被證明是4。然后,從未使用的扇區鏈表頭部,4個扇區依次用于存儲文件數據。從而,文件信息和系統記錄更新后,文件的創建操作完成。

要刪除文件(文件名是N011,文件大小為2 026 B,第一個扇區編號為6),根據文件名N011,通過遍歷文件信息鏈表獲取文件信息節點,根據存儲在此節點文件信息,可以獲得文件大小和存儲空間項(即文件的第一個扇區)。扇區數目也可以計算出來。由于指針索引指向下一個節點,每個扇區被釋放,并連接到未使用扇區鏈表尾節點。最后的操作是從文件信息鏈表刪除這個節點。與此同時,文件信息和系統的記錄應該更新。

通過在一個嵌入式計算機數控系統上的有效且成功應用充分展示了FFS的良好性能。這個FFS經過略微的修改即可在不同的嵌入式平臺上進行移植,且具有一定的普遍性。

為了提高存儲和管理嵌入式平臺上文件數據的性能,本文提出了一種新的應用于閃存文件系統(FFS)的策略,其特點可以描述如下:

(1)減少寫周期提高寫入速度。

(2)采用動態分配存儲空間,提高利用效率和延長閃存的使用壽命。

(3)相應的文件被刪除后,存儲扇區可以很快被釋放,并可以連接到未使用的扇區鏈表。

(4)當損壞扇區的數量到達設置值時自動報警,確保系統處于良好狀態。

(5)FAT分配的內存空間存儲指針以數組的形式作為全局變量。

(6)為延長內核扇區壽命確保系統啟動可靠服務,采用冗余設計、快速計算和追蹤策略。

因此,本文中的FFS,特別是在可靠性、存儲效率和良好的可移植性方面已獲得明顯的成效。

責任編輯:gt

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FPGA各存儲器之間到底有什么關系

在FPGA開發板上都有幾種不同的存儲器,比如SDRAM ,FLASH,EPCS,還有內部onchip....
發表于 10-12 16:57 ? 39次 閱讀
FPGA各存儲器之間到底有什么關系

新技術和趨勢推動工業PC市場向前發展

2020年10月8日-馬薩諸塞州達德姆市-ARC新咨詢小組對全球工業PC市場的研究表明,盡管中美之間....
的頭像 牽手一起夢 發表于 10-12 14:52 ? 166次 閱讀
新技術和趨勢推動工業PC市場向前發展

嵌入式系統的三個基本要素及嵌入式系統應用實例

交通管理:在車輛導航、流量控制、信息監測與汽車服務方面,嵌入式系統技術已經獲得了廣泛的應用,內嵌GP....
的頭像 STM32嵌入式開發 發表于 10-12 14:28 ? 171次 閱讀
嵌入式系統的三個基本要素及嵌入式系統應用實例

Cerfe Labs正加速AI領域的存儲技術發展

對于此次拆分與合作,Arm CEO Simon Segars指出,該公司CeRAM研究團隊在過去5年....
的頭像 我快閉嘴 發表于 10-12 13:13 ? 657次 閱讀
Cerfe Labs正加速AI領域的存儲技術發展

嵌入式前景還好嗎?哪些人最適合轉嵌入式

IT行業現在已經超越金融行業,成為平均薪資最高的行業,大家都紛紛開始想在IT行業謀得一席發展之位,很多想入門IT行業的朋...
發表于 10-12 11:08 ? 101次 閱讀
嵌入式前景還好嗎?哪些人最適合轉嵌入式

PIC16F88X系列CMOS閃存單片機的引腳圖和資料詳細說明

本文檔的主要內容詳細介紹的是PIC16F88X系列CMOS閃存單片機的引腳圖和資料詳細說明。
發表于 10-12 08:00 ? 28次 閱讀
PIC16F88X系列CMOS閃存單片機的引腳圖和資料詳細說明

AD5253/AD5254是四通道非易失性存儲器

特征 AD5253:四位64位分辨率;AD5254:四個256位置分辨率;1千歐、10千歐、50千歐、100千歐;非易失性存儲器[1]存儲帶寫保...
發表于 10-10 17:29 ? 0次 閱讀
AD5253/AD5254是四通道非易失性存儲器

個人整理的嵌入式新手學習路線,新手可以參考著來

1、《C語言》第二版 譚浩強 ; 《C程序設計語言》第二版 徐寶文譯 機械工業出版社 你能區分開指針數組和數組指針嗎?你知道函...
發表于 10-10 11:07 ? 0次 閱讀
個人整理的嵌入式新手學習路線,新手可以參考著來

【開發板免費試用申請福利!】創龍TL335x-EVM評估板——活動結束倒計時2天!

高品質工業核心板,方便用戶快速進行產品方案評估與技術預研 立即申請: 活動時間 1. 申請報名:2020/09/11-...
發表于 10-10 11:04 ? 101次 閱讀
【開發板免費試用申請福利!】創龍TL335x-EVM評估板——活動結束倒計時2天!

如何快速的上手嵌入式開發?

有沒有人有較好的學習嵌入式方法,有點不知道從來哪里開始學起 ...
發表于 10-10 11:02 ? 0次 閱讀
如何快速的上手嵌入式開發?

ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

標準的參數搜索 易于訪問密鑰產品參數 部件號搜索用于直接訪問特定的產品 數據表的下載離線咨詢 來采樣和購買 最喜歡的部分數字管理 產品功能分享通過電子郵件或社交媒體 適用于Android?或iOS?操作系統 在Wandoujia應用程序商店,為中國用戶提供 在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS設備上使用的手機應用程序提供通過www.st.com在線產品組合中的一個用戶友好的替代搜索,驅動用戶使用以及便攜式設備順利和簡單的導航體驗。參數搜索引擎允許用戶快速識別出最適合其應用合適的產品。此應用程序可在谷歌播放,App Store和Wandoujia。...
發表于 05-21 07:05 ? 62次 閱讀
ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二極管產品查找程序

,零件編號和產品 技術數據表下載和離線咨詢一系列的搜索功能 訪問主要產品規格(主要電氣參數,產品一般說明,主要特點和市場地位) 對產品和數據表收藏欄目 能夠通過社交媒體或通過電子郵件共享技術文檔 可在安卓?和iOS?應用商店 ST-DIODE-FINDER是可用于Android?和iOS?的應用程序,它可以讓你探索使用便攜式設備的ST二極管的產品組合。您可以輕松地定義設備最適合使用參數或一系列的搜索引擎應用程序。您還可以找到你的產品由于采用了高效的零件號的搜索引擎。...
發表于 05-20 18:05 ? 53次 閱讀
ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二極管產品查找程序

ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM產品的取景器為Android和iOS

引導搜索 部分號碼搜索能力 主要產品功能發現 數據表下載和離線咨詢 產品功能分享通過電子郵件或社交媒體 樣品訂購所選產品的 主屏幕上的語言選擇 ST-EEPROM-FINDER是探索意法半導體串行EEPROM組合最快和最明智的方式使用智能電話或平板。
發表于 05-20 17:05 ? 49次 閱讀
ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM產品的取景器為Android和iOS

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

或產品號的產品搜索能力 技術數據表下載和離線咨詢 訪問主要產品規格(主要電氣參數,產品一般說明,主要特點和市場地位) 對產品和數據表 能夠通過社交媒體或通過電子郵件共享技術文檔 適用于Android收藏節?和iOS?應用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android?和iOS?的應用程序,它可以讓你探索的ST功率MOSFET產品組合使用便攜設備。您可以輕松地定義設備最適合使用參數搜索引擎應用程序。您還可以找到你的產品由于采用了高效的零件號的搜索引擎。...
發表于 05-20 17:05 ? 81次 閱讀
ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和傳感器產品查找用于移動設備

于Android和iOS電話移動應用 友好的用戶界面 的直觀的產品的選擇: MEMS和傳感器 評估工具 應用 參數搜索使用多個過濾器 部件號搜索 訪問技術文檔 從ST經銷商在線訂購 通過電子郵件或社交媒體最喜歡的部分數字管理經驗分享 支持的語言:英語(中國,日本和韓國即將推出) 在ST-SENSOR-FINDER提供移動應用程序的Android和iOS,提供用戶友好的替代通過MEMS和傳感器網絡產品組合搜索,驅動用戶一起順利和簡單的導航體驗。...
發表于 05-20 17:05 ? 59次 閱讀
ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和傳感器產品查找用于移動設備

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP? mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
發表于 04-18 20:05 ? 227次 閱讀
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) I2C兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5175是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5175的游標設置可通過I2C兼容型數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5175不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展...
發表于 04-18 19:35 ? 40次 閱讀
AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) SPI兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5174是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。 該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5174的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5174不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展工業...
發表于 04-18 19:35 ? 40次 閱讀
AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 標稱電阻容差誤差(電阻性能模式):±1%(最大值) 20次可編程游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 分壓器溫度系數:5 ppm/°C +9V至+33V單電源供電 ±9V至±16.5V雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 下載AD5292-EP (Rev 0)數據手冊(pdf) 溫度范圍:?55°C至+125°C 受控制造基線 唯一封裝/測試廠 唯一制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/12616 DSCC圖紙號產品詳情AD5292是一款單通道1024位數字電位計1,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件能夠在寬電壓范圍內工作,支持±10.5 V至±16.5 V的雙電源供電和+21 V至+33 V的單電源供電,同時確保端到端電阻容差誤差小于1%,并具有20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291和AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機...
發表于 04-18 19:31 ? 78次 閱讀
AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校準的標稱電阻容差:±1%(電阻性能模式) 20次可編程 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 溫度系數(分壓器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 單電源供電 ±9 V至±16.5 V 雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 產品詳情AD5291/AD5292屬于ADI公司的digiPOT+? 電位計系列,分別是單通道256/1024位數字電位計1 ,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件的工作電壓范圍很寬,既可以采用±10.5 V至±16.5 V雙電源供電,也可以采用+21 V至+33 V單電源供電,同時端到端電阻容差誤差小于1%,并提供20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291/AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機會。在20-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將游標位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5291/AD52...
發表于 04-18 19:31 ? 62次 閱讀
AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1 存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復至EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多信息,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
發表于 04-18 19:29 ? 76次 閱讀
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復為EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀/寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多特性,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
發表于 04-18 19:29 ? 81次 閱讀
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器可保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )產品詳情AD5252是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有256位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值?;菊{整模式就是在游標位設置(RDAC)寄...
發表于 04-18 19:29 ? 177次 閱讀
AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )產品詳情AD5251是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有64位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值?;菊{整模式就是在游標位設置(RDAC)寄存器...
發表于 04-18 19:29 ? 155次 閱讀
AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

信息優勢和特點 雙通道、1024位分辨率 標稱電阻:25 kΩ、250 kΩ 標稱電阻容差誤差:±8%(最大值) 低溫度系數:35 ppm/°C 2.7 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源 SPI兼容型串行接口 非易失性存儲器存儲游標設置 加電刷新EEMEM設置 永久性存儲器寫保護 電阻容差儲存于EEMEM中 26字節額外非易失性存儲器,用于存儲用戶定義信息 1M編程周期 典型數據保留期:100年 下載AD5235-EP數據手冊 (pdf) 溫度范圍:-40℃至+125°C 受控制造基線 一個裝配/測試廠 一個制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/11605 DSCC圖紙號產品詳情AD5235是一款雙通道非易失性存儲器1、數控電位計2,擁有1024階躍分辨率,保證最大低電阻容差誤差為±8%。該器件可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和出色的低溫度系數性能。通過SPI?-兼容串行接口,AD5235具有靈活的編程能力,支持多達16種工作模式和調節模式,其中包括暫存編程、存儲器存儲和恢復、遞增/遞減、±6 dB/階躍對數抽頭調整和游標設置回讀,同時提供額外的EEMEM1 ,用于存儲用戶定義信息,如其他元件的存儲器數據、查找表、系統標識信息等。...
發表于 04-18 19:28 ? 191次 閱讀
AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

信息優勢和特點 1024位分辨率 非易失性存儲器保存游標設置 上電時利用EEMEM設置刷新 EEMEM恢復時間:140 μs(典型值) 完全單調性工作 端接電阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存儲器寫保護 游標設置回讀功能 預定義線性遞增/遞減指令 預定義±6 dB/步對數階梯式遞增/遞減指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源供電產品詳情AD5231是一款采用非易失性存儲器*的數字控制電位計**,提供1024階分辨率。它可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和遙控能力。該器件功能豐富,可通過一個標準三線式串行接口進行編程,具有16種工作與調整模式,包括便箋式編程、存儲器存儲與恢復、遞增/遞減、±6 dB/步對數階梯式調整、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。在便箋式編程模式下,可以將特定設置直接寫入RDAC寄存器,以設置端子W–A與端子W–B之間的電阻。此設置可以存儲在EEMEM中,并在系統上電時自動傳輸至RDAC寄存器。EEMEM內容可以動態恢復,或者通過外部PR選通脈沖予以恢復;WP功能則可保護EE...
發表于 04-18 19:28 ? 176次 閱讀
AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一個EEPROM串行128-Kb SPI器件,內部組織為16kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25128設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和軟件保護 低功耗CMOS技術 SPI模式(0,0& 1,1) 工業溫度范圍 自定時寫周期 64字節頁面寫緩沖區 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或所有EEPROM陣列 1,000,000計劃/時代se周期 100年數據保留 8引腳SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝 此設備無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準 其他識別具有永久寫保護的頁面 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 19:13 ? 143次 閱讀
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一個EEPROM串行256-Kb SPI器件,內部組織為32kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25256設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字節頁面寫緩沖區 具有永久寫保護的附加標識頁(新產品) 自定時寫周期 硬件和軟件保護 100年數據保留期 1,000,000個程序/擦除周期 低功耗CMOS技術 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 工業溫度范圍 8引腳SOIC ,TSSOP和8焊盤UDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,以及符合RoHS標準 應用 汽車系統 Communica tions Systems 計算機系統 消費者系統 工業系統 ...
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CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

信息 CAT25040是一個4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,內部組織為512x8位。安森美半導體先進的CMOS技術大大降低了器件的功耗要求。它具有16字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25040設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0和1,1) 16字節頁面寫入緩沖區 自定時寫入周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000編程/擦除周期 100年數據保留 工業和擴展溫度范圍 PDIP,SOIC,TSSOP 8引腳和TDFN,UDFN 8焊盤封裝 這些器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...
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CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一個EEPROM串行16-Kb SPI器件,內部組織為2048x8位。它們具有32字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25160設備的任何串行通信。這些器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0& 1,1) 32字節頁面寫入緩沖區 自定時寫周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000個編程/擦除周期 100年數據保留 工業溫度范圍 符合RoHS標準的8引腳SOIC,T SSOP和8-pad UDFN軟件包 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI
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