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獨家!跑贏大市,揭秘華潤微2020年半年報凈利潤大漲背后的玄機

章鷹 ? 來源:電子發燒友原創 ? 作者:章鷹 ? 2020-08-05 16:49 ? 次閱讀

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(電子發燒友報道 文/章鷹 )2020年第二季度,全球受到疫情的影響經濟大幅度下滑,但是半導體行業呈現了極強的抗跌性?!?020年上半年,中國集成電路產量逆勢增長,前五月累計增長13.3%。作為國內功率半導體領域的一線廠商,華潤微電子上半年實現營收30.63億元,同比增長16.03%,實現歸屬母公司凈利潤4.03億元,同比增長145.27%,整體跑贏大市?!?華潤微電子董事會秘書兼戰略發展部總監吳國屹對記者表示。

華潤微電子2020年中報

國際功率半導體大廠英飛凌在2020年第二財季中表示,因受到全球疫情蔓延影響,3月下旬公司關閉了馬來西亞的居林和馬六甲工廠,公司產能利用率在70%,排名第二的安森美第二財季凈利潤轉虧,同比下降112.27%。而華潤微電子2020年中報業績表現亮麗,功率器件事業群上半年實現銷售收入12.57億元,同比增長22.31%,公司MOSFET產品通過技術迭代,新領域客戶拓展,銷售額同比增長21.43%。IGBT器件和制造工藝領域積累了多項自主知識產品的核心技術,銷售額同比增長49.90%。

2020年全球功率半導體發展前景和技術趨勢如何?在核心功率器件領域,華潤微電子為代表國產替代廠商面對的主要挑戰和優勢是什么?作為公司增長引擎的功率器件和智能傳感器兩大事業群,如何形成雙輪驅動提振未來增長遠景?華潤微電子董事會秘書兼戰略發展部總監代表公司給出了精彩的分析和前瞻。

四大應用助推功率半導體增長,技術能力+供貨能力成為核心競爭要素

功率半導體是電子裝置電能轉換與電路控制的核心,2020年,雖然全球經濟遭遇疫情影響,工業、汽車、消費電子和無線通訊成為功率半導體增長的主要市場。

“從上半年的市場表現來看,第一季度延續去年第四季度市場回暖的景氣度。二季度,汽車市場有一定的下滑,但是疫情對生活和工作方式的改變導致數據流量大幅增長,因而對服務器、數據中心、通信產品和醫療電子的需求強勁,再加上為了應對后疫情時期的市場需求所引發的補庫存行為,迎來一波新的需求。疫情對于需求端的影響會體現在三季度,因此三季度可能有一些回調的現象,但四季度市場應該會回暖?!?公司方展望了功率半導體市場的波動和下半年預期。

“2020年,中國開啟5G領銜的新基建, 5G、數據中心、人工智能、特高壓、充電樁、工業互聯網、高鐵軌交等領域的建設將一定程度上驅動需求增長,為半導體產業發展帶來新的機遇?,F在大家都認為,疫情可能會常態化,遠程辦公、遠程交流、遠程活動,對于數據中心的需求會放大,疫情還引發了居家生活電器需求上升,都對整個功率半導體市場增加需求推動力?!?/p>

目前,國產功率半導體廠商的供貨都集中在在消費類電子,到了電機、充電樁、無線通訊類,都基本上是國外大功率半導體廠商的天下。“疫情是市場發展的窗口期,全球各地供求關系不平衡,帶動功率半導體廠商做產品調整,關鍵是自身能否抓住市場機會。經過疫情對市場的考驗,廠商的兩級分化嚴重。技術能力強、供貨能力強的功率半導體廠商可能會進入中高端,市場發展越來越寬,技術能力弱,只能在消費類電子領域打價格戰的功率半導體廠商,未來可能會被邊緣化?!?公司方一語道明了未來市場競爭的核心所在。

以IGBT為突破口,華潤微發力國產替代和高端功率器件產品

此次華潤微發布的中報業績中IGBT的業績非常亮眼。功率器件營收整體比較去年同期增長22.31%,IGBT的營收增長49.90%。華潤微電子在IGBT器件和制造工藝領域積累了多項自主知識產權的核心技術,這正是發展的后勁和底蘊。


無獨有偶,7月4日,記者在上海慕尼黑電子展的華潤微電子展臺,看到了IGBT產品、低壓MOSFET產品和智能功率模塊,其中IGBT產品令人印象深刻。

華潤微IGBT產品和低壓MOSFET產品展示

“華潤微電子切入IGBT是從芯片研發開始,到制造工藝、封裝工藝,我們的優勢是全產業鏈,技術積累更加扎實,未來厚積薄發的能力會更具優勢?!肮痉椒治稣f。

華潤微電子UPS控制板和電焊機控制器展示

目前,華潤微量產的IGBT產品類似于英飛凌的第四代產品,預計第五代產品會到下半年發布,產品主要用于電焊機和UPS里面,從消費類應用往工業類應用拓展。在半導體工藝方面,IGBT新一代產品在從從6英寸晶圓產線往8英寸晶圓產線轉移,產品性能更好,性價比更高。

對于“國產替代”的理解,華潤微公司方認為,整機廠商對于國產替代的定義非常嚴格,首先客戶要在國內,而且產品所有的供應鏈要在國內,如果其中某一環節在國外做,這就不是真正的國產替代。從供應鏈管理的角度,華潤微電子的研發、封裝和產能都在國內,更加符合需求。相同的產品,性能達到一定的標準,華潤微電子更加有優勢。

在門檻更高的汽車領域,IGBT的用量更大。公司方指出,汽車IGBT門檻特別高,目前除了比亞迪半導體IGBT進入自家車廠外,國內公司還沒有進入到整車廠商的供應鏈。在他看來,最大的挑戰來自功率半導體廠商的設計研發人員對于系統整體的理解還不夠深入。相反,NXP、英飛凌等跨國公司都是整機廠商拆分出來的半導體公司,由于歷史基因的存在,公司研發人員對于整機系統的理解非常深刻,研發人員理解芯片如何設計才能達到應用需求,這是真正的系統到產品,再到工藝推動的過程。

雙輪驅動,功率器件和智能傳感器驅動未來5年業績增長

2020年上半年,除了功率半導體增長不錯外,智能傳感器營收同比增長了50%?!?公司方表示,“公司目前聚焦的是光電傳感器、MEMS傳感器和煙霧傳感器,未來三年華潤微電子主要成長引擎來自功率半導體,未來5年甚至更長時間,智能傳感器是增長點?!?/strong>

據悉,近日,華潤微電子發布了1200V和650V工業級SiC肖特基二級管產品,國內首條6英寸SIC晶圓生產線正式量產。其碳化硅二極管目標應用為太陽能逆變器、通訊電源、服務器、儲能設備等。產品關鍵性能已經對標國際功率半導體大廠,依托自有的晶圓生產線,華潤微功率器件產品實現自主可控。

在公司看來,碳化硅器件目前的市場痛點是,成本高,短時間成本很難下降。在高端領域比如5G基站、新能源汽車上使用,目前這個市場正在發展當中,它也不會完全取代IGBT或者MOSFET。半導體廠商和整機廠商有密切的配合,從系統需求開始,然后慢慢往下游推,經過一段時間的認證,才會有真正的突破。

智能傳感器市場,目前的市場痛點是應用場景不完善,未來會有機會爆發。在傳感器領域,華潤微電子的主要優勢在于業務制造能力會比較強,公司正在全力打造新的傳感器產品,未來形成更強的產品陣列,迎接5G網絡覆蓋完成后,帶來的無人駕駛、無人機等新興應用爆發時市場的大規模需求。

目前,華潤微電子在無錫的8英寸和6英寸晶圓線產能已經充分應用,2020年下半年將在重慶啟動12英寸晶圓線的建設,公司透露,12英寸晶圓廠主要規劃做功率器件產品,2021年處于建設爬坡期,真正的產能釋放是在后年。

未來隨著5G、物聯網和智能汽車場景的應用,更多的半導體公司也在向全棧公司轉型,華潤微電子作為國內半導體最大IDM廠商,在技術研發、客戶的定制方案上都在不斷前進,疫情這個窗口期后,我們期待看到它更加穩健的市場表現和產品創新的突破。

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高壓套件TMDSHVMTRINSPIN炸管的原因是什么?

請問如何獲得IPW60R041C6中文資料?

最近在做一個項目正好趕上社區的活動,傲嬌的品牌,呆萌的價格.英飛凌CE系列MOS等您領取,曬單有禮 申請到了IPW60R0...
發表于 05-15 05:55 ? 85次 閱讀
請問如何獲得IPW60R041C6中文資料?

最新汽車電子胎壓檢測方案

輪胎的正常工作是安全行車的重要保障,相當大一部分的汽車安全事故是由輪胎故障造成的。本方案采用英飛凌胎壓檢測方案中的關鍵器...
發表于 05-06 07:34 ? 147次 閱讀
最新汽車電子胎壓檢測方案

關于igbt做開關的Vge電壓問題

如圖A所示,當igbt的負載接在c級的時候e極接地,比如說給g極12v電壓,這時候ge之間電壓大于開啟電壓,igbt能導通,但是如圖b所示...
發表于 04-23 09:58 ? 690次 閱讀
關于igbt做開關的Vge電壓問題

具有Easy Automotive模塊的HV至LV DCDC轉換器評估套件的評估板

EASYKIT DCDC,用于具有Easy Automotive模塊的HV至LV DC / DC轉換器評估套件的評估板。評估套件EAS...
發表于 04-15 09:55 ? 211次 閱讀
具有Easy Automotive模塊的HV至LV DCDC轉換器評估套件的評估板

NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

T120L2Q2F2SG是一款功率集成模塊(PIM),包含一個分離式T型中性點鉗位三電平逆變器,由兩個160A / 1200V半橋IGBT和二極管組成,兩個中性點120A / 1200V整流器,兩個100A / 600V中性點IGBT,帶反向二極管,兩個半橋60A / 600V整流器和一個負溫度系數熱敏電阻(NTC)。 特性 優勢 600 V IGBT規格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高效率 1200 V IGBT規格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高的效率 底板 熱傳播 可焊銷 輕松安裝 熱敏電阻 溫度檢測 T型中性點鉗位三電平逆變器模塊 應用 終端產品 DC-AC階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 08:02 ? 74次 閱讀
NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

NXH80B120H2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二極管

120H2Q0SG是一款功率集成模塊(PIM),包含一個雙升壓級,由兩個40A / 1200V IGBT,兩個15A / 1200V SiC二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 IGBT規格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器規格:VF = 1.4 V 用于高速切換的SiC二極管 可焊接引腳 輕松安裝 雙升壓40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模塊 熱敏電阻 應用 終端產品 太陽能逆變器升壓階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 08:02 ? 42次 閱讀
NXH80B120H2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二極管

NXH450N65L4Q2 功率集成模塊(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二極管

N65L4Q2是功率集成模塊,包含I型中性點鉗位(NPC)三電平逆變器,由兩個225 A / 650 V外部IGBT,兩個375 A / 650 V內部IGBT和兩個375 A / 650 V中性線組成點二極管。反向二極管是150 A / 650 V器件。該模塊包含一個NTC熱敏電阻。 特性 優勢 現場停止4個650 V IGBT,具有快速開關性能和出色的VCE(SAT) 提高系統效率和簡化熱設計 焊針版本 應用 終端產品 DC-AC轉換 分散式太陽能逆變器 - 1200V 不間斷電源 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 08:02 ? 43次 閱讀
NXH450N65L4Q2 功率集成模塊(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二極管

NXH80T120L2Q0 功率集成模塊(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

120L2Q0是功率集成模塊,包含一個T型中性點鉗位(NPC)三電平逆變器,由兩個80 A / 1200 V半橋IGBT組成,帶有40 A / 1200 V半橋二極管和兩個50 A / 600 V NPC IGBT,帶有兩個50 A / 600 V NPC二極管。模塊還包含一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 低VCESAT的高速1200V和650V IGBT 提高效率 預先應用熱界面材料(TIM)的選項預先應用的TIM 更簡單的安裝過程 使用壓入銷和焊針的選項 模塊安裝過程的更廣泛選擇 應用 終端產品 太陽能逆變器 UPS逆變器 太陽能串逆變器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 07:02 ? 50次 閱讀
NXH80T120L2Q0 功率集成模塊(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

NXH100B120H3Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二極管

B120H3Q0是一款功率集成模塊(PIM),包含一個雙升壓級,由兩個50A / 1200V IGBT,兩個20A / 1200V SiC二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 IGBT規格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器規格:VF = 1.44 V 用于高速開關的SiC二極管 焊針和壓合銷選項 靈活安裝 應用 終端產品 MPPT提升階段 Bat tery Charger Boost Stage 太陽能逆變器 儲能系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 07:02 ? 30次 閱讀
NXH100B120H3Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二極管

NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

T120L2Q2F2SG是一款功率集成模塊(PIM),包含一個分離式T型中性點鉗位三電平逆變器,由兩個帶反向二極管的160A / 1200V半橋IGBT,兩個中性點120A / 1200V整流器組成,兩個具有反向二極管的100A / 650V中性點IGBT,兩個半橋60A / 650V整流器和一個負溫度系數熱敏電阻(NTC)。 特性 優勢 650 V IGBT規格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高效率 1200 V IGBT規格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高的效率 底板 熱傳播 可焊銷 輕松安裝 熱敏電阻 溫度檢測 T型中性點鉗位三電平逆變器模塊 應用 終端產品 DC-AC階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 07:02 ? 28次 閱讀
NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

FSBB15CH120DF 運動SPM

CH120DF是一款先進的Motion SPM ? 3模塊,為交流感應,BLDC和PMSM電機提供功能齊全的高性能逆變器輸出級。這些模塊綜合優化了內置IGBT的柵極驅動,最大限度降低電磁輻射和損耗,同時提供多種自帶保護功能,包括欠壓閉鎖,過流關斷,驅動芯片熱監控和故障報告。內置高速HVIC僅需要單電源電壓并將收到的邏輯電平柵極輸入信號轉換為高電壓,高電流驅動信號,從而有效驅動模塊的內部IGBT。獨立負IGBT引腳適用于各相位,以支持最廣泛的算法控制。 特性 UL認證號E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆變器,帶積分柵驅動器和保護功能 低功耗,額定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基質實現極低熱阻 專用Vs引腳能夠簡化PCB布局 低側IGBT的獨立發射極開路引腳用于三相電流檢測 單相接地電源 LVIC內嵌溫度感功能,用于監控溫度 絕緣等級:2500 V rms /分 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 07:02 ? 90次 閱讀
FSBB15CH120DF 運動SPM

FSBB15CH120D 運動SPM

CH120D是一款先進的MotionSPM?3模塊,用于交流感應,BLDC和PMSM電機提供功能齊全的高性能逆變器輸出級。 這些模塊綜合優化了內置IGBT的柵極驅動,最大限度降低電磁輻射和損耗,同時提供多種自帶保護功能,包括欠壓閉鎖,過流關斷,驅動芯片熱監控和故障報告。內置高速HVIC僅需要單電源電壓并將收到的邏輯電平柵極輸入信號轉換為高電壓,高電流驅動信號,從而有效驅動模塊的內部IGBT。獨立負IGBT引腳適用于各相位,以支持最廣泛的算法控制。 特性 UL認證號E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆變器,帶積分柵驅動器和保護功能 低功耗,額定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基質實現極低熱阻 專用Vs引腳能夠簡化PCB布局 低側IGBT的獨立發射極開路引腳用于三相電流檢測 單相接地電源 LVIC內嵌溫度感功能,用于監控溫度 絕緣等級:2500 V rms /分 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 07:02 ? 44次 閱讀
FSBB15CH120D 運動SPM

NXH80B120L2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二極管

120L2Q0SG是一款功率模塊,包含一個雙升壓級,由兩個40A / 1200V IGBT,兩個30A / 1200V硅二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 IGBT規格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2830 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率 Si整流器規格:VF = 2.4 V,IRRM = 53 A 用于中速切換的Si二極管 可焊接針 輕松安裝 雙升壓40 A / 1200 V IGBT + Si整流器模塊 熱敏電阻 應用 終端產品 太陽能逆變器升壓階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 05:02 ? 62次 閱讀
NXH80B120L2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二極管

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升壓模塊

一種快速,可靠的的安裝方式。 特性 高效率 低傳導損耗和開關損耗 高速場截止IGBT SiC SBD用作升壓二極管 內置NTC可實現溫度監控 電路圖、引腳圖和封裝圖
發表于 07-31 04:02 ? 64次 閱讀
FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升壓模塊

NFL25065L4BT 用于2相交錯式PFC的PFCSPM?2系列

65L4BT是一款PFCSPM?2模塊,為消費,醫療和工業應用提供全功能,高性能的交錯式PFC(功率因數校正)輸入功率級。這些模塊集成了內置IGBT的優化柵極驅動,可最大限度地降低EMI和損耗,同時還提供多種模塊內保護功能,包括欠壓鎖定,過流關斷,熱監控和故障報告。這些模塊還具有全波整流器和高性能輸出SiC二極管,可節省更多空間和安裝便利性。 特性 650 V - 50 A 2階段具有整體柵極驅動器和保護的交錯式PFC 使用Al2O3 DBC襯底的極低熱阻 全波橋式整流器和高性能輸出SiC升壓二極管 用于溫度監控的內置NTC熱敏電阻 隔離評級:2500 Vrms / min 應用 終端產品 2相交錯式PFC轉換器 商用空調 工業電機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 04:02 ? 77次 閱讀
NFL25065L4BT 用于2相交錯式PFC的PFCSPM?2系列

NFCS1060L3TT 智能功率模塊(IPM) PFC組合 600V 10A

60L3TT是一個完全集成的PFC和逆變器功率級,包括一個高壓驅動器,六個電機驅動IGBT,一個PFC SJMOSFET,一個用于整流器的PFC SiC-SBD和一個熱敏電阻,適用于驅動永磁同步( PMSM)電機,無刷直流(BLDC)電機和交流異步電機。 IGBT采用三相橋式配置,為小腿提供獨立的發射極連接,以便在選擇控制算法時獲得最大的靈活性。 特性 優勢 在一個封裝中采用PFC和逆變器級的簡單散熱設計。 保存PCB面積并簡化裝配流程 交叉傳導保護 避免手臂短路輸入信號不足 集成自舉二極管和電阻器 保存PCB面積 應用 終端產品 電機驅動模塊 電機控制系統 工業/通用控制系統HVAC 工業風扇電機 泵 洗衣機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 04:02 ? 36次 閱讀
NFCS1060L3TT 智能功率模塊(IPM) PFC組合 600V 10A

NFAP1060L3TT 智能功率模塊(IPM) 600 V 10 A 帶有先進的SIP封裝

60L3TT是一個完全集成的逆變器功率級,由高壓驅動器,六個IGBT和一個熱敏電阻組成,適用于驅動永磁同步(PMSM)電機,無刷直流(BLDC)電機和交流異步電機。 IGBT采用三相橋式配置,為低支路提供獨立的發射極連接,在控制算法選擇方面具有最大的靈活性。功率級具有全面的保護功能,包括跨導保護,外部關斷和欠壓鎖定功能。連接到過流保護電路的內部比較器和參考電壓允許設計人員設置過流保護電平。 特性 緊湊型44mm x 20.9mm單列直插式封裝 內置欠壓保護 交叉傳導保護 集成自舉二極管和電阻器 應用 終端產品 工業驅動器 泵 粉絲 Automationas 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 03:02 ? 41次 閱讀
NFAP1060L3TT 智能功率模塊(IPM) 600 V 10 A 帶有先進的SIP封裝

NCP5304 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側 雙輸入

4是一款高壓功率柵極驅動器,提供兩路輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或以半橋配置排列的IGBT。它使用自舉技術確保正確驅動高端電源開關。驅動器使用2個具有交叉傳導保護的獨立輸入。 特性 高壓范圍:高達600V dV / dt抗擾度±50 V / ns 柵極驅動電源范圍為10 V至20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 最多輸入引腳上的Vcc擺動 兩個通道之間的匹配傳播延遲 帶輸入的階段輸出 具有100ns內部固定死區時間的交叉傳導保護 在兩個通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin to Pin與行業標準兼容 應用 半橋電源轉換器 全橋轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 01:02 ? 116次 閱讀
NCP5304 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側 雙輸入

NCP5111 功率MOSFET / IGBT驅動器 單輸入 半橋

1是一款高壓功率柵極驅動器,提供兩個輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或以半橋配置排列的IGBT。它使用自舉技術確保正確驅動高側電源開關。 特性 高壓范圍:高達600V dV / dt抗擾度±50 V / ns 柵極驅動電源范圍從10 V到20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 輸入引腳上的Vcc擺幅 兩個頻道之間的匹配傳播延遲 內部固定Dea的一個輸入d時間(650 ns) 在兩個頻道的Vcc LockOut(UVLO)下 引腳與引腳兼容行業標準 應用 半橋電源轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 01:02 ? 88次 閱讀
NCP5111 功率MOSFET / IGBT驅動器 單輸入 半橋

MC33153 單IGBT驅動器

3專門設計用作高功率應用的IGBT驅動器,包括交流感應電機控制,無刷直流電機控制和不間斷電源。雖然設計用于驅動分立和模塊IGBT,但該器件為驅動功率MOSFET和雙極晶體管提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括選擇去飽和或過流檢測和欠壓檢測。這些器件采用雙列直插和表面貼裝封裝,包括以下特性: 特性 高電流輸出級:1.0 A源/ 2.0 A接收器 常規和感測IGBT的保護電路 可編程故障消隱時間 防止過電流和短路 針對IGBT優化的欠壓鎖定 負柵極驅動能力 成本有效地驅動功率MOSFET和雙極晶體管 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 01:02 ? 284次 閱讀
MC33153 單IGBT驅動器

NCP5106 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側

6是一款高壓柵極驅動器IC,提供兩路輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT,采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自舉技術確保正確驅動高端電源開關。驅動程序使用2個獨立輸入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高壓范圍:最高600 V dV / dt抗擾度±50 V / nsec 柵極驅動電源范圍為10 V至20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 輸入引腳上的Vcc擺動 匹配傳播兩個渠道之間的延遲 輸入階段的輸出 適應所有拓撲的獨立邏輯輸入(版本A) 交叉傳導保護機智h 100 ns內部固定死區時間(版本B) 在兩個通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin與行業標準兼容 應用 半橋電源轉換器 任何互補驅動轉換器(非對稱半橋,有源鉗位)(僅限A型)。 全橋轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 00:02 ? 178次 閱讀
NCP5106 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側

FL73282 半橋柵極驅動器

2是一款單片半橋柵極驅動器IC,可驅動工作電壓高達+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高側驅動器在高dV / dt噪聲環境下穩定運行。先進的電平轉換電路,可使高側柵極驅動器的工作電壓在V BS = 15 V時達到V S = - 9.8 V(典型值)。當V CC 或V BS 低于指定閾值電壓時,兩個通道UVLO電路可防止發生故障。輸出驅動器的源電流/灌電流典型值分別為350 mA / 650 mA,適用于各種半橋和全橋逆變器。 特性 浮動通道可實現高達+900 V的自舉運行 兩個通道的源/灌電流驅動能力典型值為350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪聲消除電路 容許擴展負V S 擺幅至-9.8 V,以實現V CC = V BS = 15 V時的信號傳輸 10 V至20 V的V CC 和V BS 供電范圍 雙通道的欠壓鎖定功能 匹配傳播延遲低于50 ns 內置170 ns死區時間 輸出與輸入信號同相 應用 照明 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 00:02 ? 259次 閱讀
FL73282 半橋柵極驅動器

NCV5703 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

3系列是一組高電流,高性能獨立式IGBT驅動器,具有非反相輸入邏輯,適用于中高功率應用,包括PTC加熱器,EV充電器和其他汽車等汽車應用電源。通過消除許多外部組件,這些器件提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括Active Miller Clamp(用于NCV5703A),精確的UVLO,DESAT保護和漏極開路故障輸出。這些驅動器還具有精確的5.0 V輸出(適用于所有版本)和獨立的高低(VOH和VOL)驅動器輸出(僅適用于NCV5703C),便于系統設計。這些驅動器設計用于容納寬電壓范圍的單極性偏置電源(以及NCV5703B的雙極性偏置電源)。所有版本均采用8引腳SOIC封裝,符合AEC-Q100標準。 特性 優勢 IGBT米勒平臺電壓下的高電流輸出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低開關損耗并縮短切換時間 低VOH和VOL 完全增強IGBT 可編程延遲的DESAT保護 增強的可編程保護 活動密勒鉗(僅限NCV5703A) 防止假門開啟 應用 終端產品 DC-交流變頻器 電池充電器 汽車PTC加熱器 驅動程序 電機控制 電動汽車 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-30 22:02 ? 93次 閱讀
NCV5703 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

NCV5702 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

2是一款高電流,高性能獨立式IGBT驅動器,具有非反相輸入邏輯,適用于高功率應用,包括PTC加熱器,EV充電器,動力總成逆變器和其他汽車電源等汽車應用。該器件通過消除許多外部元件提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括有源米勒鉗位,精確的UVLO,EN輸入,DESAT保護和漏極開路故障輸出。該驅動器還具有精確的5.0 V輸出和獨立的高低(VOH和VOL)驅動器輸出,便于系統設計。該驅動器設計用于適應寬電壓范圍的偏置電源,包括單極性和雙極性電壓。它采用16引腳SOIC封裝。符合AEC-Q100標準。 特性 優勢 降低開關損耗和縮短開關時間 低VOH和VOL 完全增強IGBT 活動密勒鉗 防止偽門開啟 可編程延遲的DESAT保護 增強的可編程保護 應用 終端產品 DC-AC逆變器 電池充電器 汽車PTC加熱器 板載充電器 xEV充電器 汽車動力總成逆變器 牽引逆變器 電動汽車 EV充電器 牽引 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-30 22:02 ? 96次 閱讀
NCV5702 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式
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